采用集成化電路，相比傳統(tǒng)的電子管高頻加熱設(shè)備，其節(jié)能效果可達(dá)30%以上。

逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能約15%，例如節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的逆變電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍。

功率因數(shù)高，始終大于0.98，無功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。