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IGBT中頻爐真的比可控硅中頻爐節(jié)電嗎?

作者: 瀏覽:687 時(shí)間:2022-11-07

1噸的電爐如功率為,進(jìn)相電壓,IGBT電爐的功率因數(shù)為0.98,直流電流為,4個(gè)IGBT消耗的功率為[1V(IGBT導(dǎo)通壓降)/2]X4==1.;可控硅電爐的功率因數(shù)為0.93,直流電流為,可控硅消耗的功率為:[1.2V(可控硅導(dǎo)通壓降)/2]X4==2.,有此可以看出,IGBT消耗的功率比可控硅消


1噸的電爐如功率為,進(jìn)相電壓,IGBT電爐的功率因數(shù)為0.98,直流電流為,4個(gè)IGBT消耗的功率為[1V(IGBT導(dǎo)通壓降)/2]X4==1.;可控硅電爐的功率因數(shù)為0.93,直流電流為,可控硅消耗的功率為:[1.2V(可控硅導(dǎo)通壓降)/2]X4==2.,有此可以看出,IGBT消耗的功率比可控硅消耗的功率省了21%。

由此得出IGBT電爐比可控硅電爐節(jié)電21%,那就錯(cuò)了,我們繼續(xù)計(jì)算,IGBT消耗的功率是總功率的百分比為1./=0.=0.%;可控硅消耗的功率是總功率的百分比為2./=0.=0.%.有以上計(jì)算數(shù)據(jù)可以看出,在其它條件相同的條件下,IGBT電爐比可控硅電爐節(jié)電0.%,幾乎可以忽略。

如改變其它條件,IGBT電爐采用串聯(lián)逆變,通過提高中頻電壓節(jié)電,那就是另外回事了??煽毓桦姞t可以通過2倍壓提高中頻電壓,由于可控硅的耐壓、電流比IGBT器件高的多,可控硅電爐可以采用高進(jìn)相電壓、高中頻電壓,因此可控硅電爐如設(shè)計(jì)合理,比價(jià)格昂貴的IGBT電爐要更加節(jié)電。


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